Αγορά Vishay Siliconix SI7116DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

SI7116DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8

Αριθμός ανταλλακτικού

SI7116DN-T1-GE3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

TrenchFET®

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Cut Tape (CT)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

PowerPAK® 1212-8

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

PowerPAK® 1212-8

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

1.5W (Ta)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

40V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

10.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.8 mOhm @ 16.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

23nC @ 4.5V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο chen_hx1688@hotmail.com, θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 49349 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

SI7100DN-T1-E3

MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8