Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
SI7430DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Αριθμός ανταλλακτικού
SI7430DP-T1-GE3
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
PowerPAK® SO-8
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerPAK® SO-8
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
5.2W (Ta), 64W (Tc)
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
150V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
43nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
1735pF @ 50V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο chen_hx1688@hotmail.com, θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 7221 PCS
Λέξεις-κλειδιά του SI7430DP-T1-GE3
SI7430DP-T1-GE3 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
SI7430DP-T1-GE3 Εκπτώσεις
SI7430DP-T1-GE3 Προμηθευτής
SI7430DP-T1-GE3 Διανομέας
SI7430DP-T1-GE3 Πίνακας δεδομένων
SI7430DP-T1-GE3 Φωτογραφίες
SI7430DP-T1-GE3 Τιμή
SI7430DP-T1-GE3 Προσφορά
SI7430DP-T1-GE3 ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
SI7430DP-T1-GE3 Αναζήτηση
SI7430DP-T1-GE3 Αγοραστικός
SI7430DP-T1-GE3 Chip