Αγορά Vishay Siliconix SI7621DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

SI7621DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK

Αριθμός ανταλλακτικού

SI7621DN-T1-GE3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

TrenchFET®

Κατάσταση μέρους

Obsolete

Συσκευασία

Digi-Reel®

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

PowerPAK® 1212-8

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

PowerPAK® 1212-8

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

3.1W (Ta), 12.5W (Tc)

Τύπος FET

P-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

20V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

6.2nC @ 5V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

300pF @ 10V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (Μέγ.)

±12V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 35465 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

SI7601DN-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8