Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
SI7621DN-T1-GE3

SI7621DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK
Αριθμός ανταλλακτικού
SI7621DN-T1-GE3
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση μέρους
Obsolete
Συσκευασία
Digi-Reel®
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
PowerPAK® 1212-8
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerPAK® 1212-8
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
3.1W (Ta), 12.5W (Tc)
Τύπος FET
P-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
20V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
6.2nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
300pF @ 10V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 35465 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του SI7621DN-T1-GE3
SI7621DN-T1-GE3 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
SI7621DN-T1-GE3 Εκπτώσεις
SI7621DN-T1-GE3 Προμηθευτής
SI7621DN-T1-GE3 Διανομέας
SI7621DN-T1-GE3 Πίνακας δεδομένων
SI7621DN-T1-GE3 Φωτογραφίες
SI7621DN-T1-GE3 Τιμή
SI7621DN-T1-GE3 Προσφορά
SI7621DN-T1-GE3 ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
SI7621DN-T1-GE3 Αναζήτηση
SI7621DN-T1-GE3 Αγοραστικός
SI7621DN-T1-GE3 Chip