Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
SI7860ADP-T1-GE3

SI7860ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
Αριθμός ανταλλακτικού
SI7860ADP-T1-GE3
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση μέρους
Obsolete
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
PowerPAK® SO-8
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerPAK® SO-8
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
1.8W (Ta)
Τύπος FET
N-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
30V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 23103 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του SI7860ADP-T1-GE3
SI7860ADP-T1-GE3 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
SI7860ADP-T1-GE3 Εκπτώσεις
SI7860ADP-T1-GE3 Προμηθευτής
SI7860ADP-T1-GE3 Διανομέας
SI7860ADP-T1-GE3 Πίνακας δεδομένων
SI7860ADP-T1-GE3 Φωτογραφίες
SI7860ADP-T1-GE3 Τιμή
SI7860ADP-T1-GE3 Προσφορά
SI7860ADP-T1-GE3 ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
SI7860ADP-T1-GE3 Αναζήτηση
SI7860ADP-T1-GE3 Αγοραστικός
SI7860ADP-T1-GE3 Chip