Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
SI8405DB-T1-E3

SI8405DB-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP
Αριθμός ανταλλακτικού
SI8405DB-T1-E3
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση μέρους
Obsolete
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
4-XFBGA, CSPBGA
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
4-Microfoot
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
1.47W (Ta)
Τύπος FET
P-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
12V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
21nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 41969 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του SI8405DB-T1-E3
SI8405DB-T1-E3 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
SI8405DB-T1-E3 Εκπτώσεις
SI8405DB-T1-E3 Προμηθευτής
SI8405DB-T1-E3 Διανομέας
SI8405DB-T1-E3 Πίνακας δεδομένων
SI8405DB-T1-E3 Φωτογραφίες
SI8405DB-T1-E3 Τιμή
SI8405DB-T1-E3 Προσφορά
SI8405DB-T1-E3 ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
SI8405DB-T1-E3 Αναζήτηση
SI8405DB-T1-E3 Αγοραστικός
SI8405DB-T1-E3 Chip