Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
SI8417DB-T2-E1

SI8417DB-T2-E1

MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP
Αριθμός ανταλλακτικού
SI8417DB-T2-E1
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση μέρους
Obsolete
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
6-MICRO FOOT™
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
2.9W (Ta), 6.57W (Tc)
Τύπος FET
P-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
12V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
57nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
2220pF @ 6V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 52070 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του SI8417DB-T2-E1
SI8417DB-T2-E1 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
SI8417DB-T2-E1 Εκπτώσεις
SI8417DB-T2-E1 Προμηθευτής
SI8417DB-T2-E1 Διανομέας
SI8417DB-T2-E1 Πίνακας δεδομένων
SI8417DB-T2-E1 Φωτογραφίες
SI8417DB-T2-E1 Τιμή
SI8417DB-T2-E1 Προσφορά
SI8417DB-T2-E1 ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
SI8417DB-T2-E1 Αναζήτηση
SI8417DB-T2-E1 Αγοραστικός
SI8417DB-T2-E1 Chip