Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
SI8467DB-T2-E1

SI8467DB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Αριθμός ανταλλακτικού
SI8467DB-T2-E1
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση μέρους
Obsolete
Συσκευασία
Digi-Reel®
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
4-XFBGA, CSPBGA
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
4-Microfoot
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Τύπος FET
P-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
20V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
73 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
21nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
475pF @ 10V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 17689 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του SI8467DB-T2-E1
SI8467DB-T2-E1 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
SI8467DB-T2-E1 Εκπτώσεις
SI8467DB-T2-E1 Προμηθευτής
SI8467DB-T2-E1 Διανομέας
SI8467DB-T2-E1 Πίνακας δεδομένων
SI8467DB-T2-E1 Φωτογραφίες
SI8467DB-T2-E1 Τιμή
SI8467DB-T2-E1 Προσφορά
SI8467DB-T2-E1 ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
SI8467DB-T2-E1 Αναζήτηση
SI8467DB-T2-E1 Αγοραστικός
SI8467DB-T2-E1 Chip