Αγορά Vishay Siliconix SI9926BDY-T1-E3 MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

Κίνα
Επαγγελματικός προμηθευτής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων

Κατάλογοι Κατασκευαστές CN ICs

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

SI9926BDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

Αριθμός ανταλλακτικού

SI9926BDY-T1-E3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

TrenchFET®

Κατάσταση μέρους

Obsolete

Συσκευασία

Cut Tape (CT)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Ισχύς - Μέγ

1.14W

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

8-SO

Τύπος FET

2 N-Channel (Dual)

Λειτουργία FET

Logic Level Gate

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

20V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

6.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 41709 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

SI9910DJ-E3

IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP