Αγορά Vishay Siliconix SIA430DJ-T4-GE3 MOSFET N-CH 20V SC-70-6

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

SIA430DJ-T4-GE3

MOSFET N-CH 20V SC-70-6

Αριθμός ανταλλακτικού

SIA430DJ-T4-GE3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

TrenchFET®

Κατάσταση μέρους

Last Time Buy

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

PowerPAK® SC-70-6

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

PowerPAK® SC-70-6 Single

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

3.5W (Ta), 19.2W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

20V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

12A (Ta), 12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5 mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

18nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

800pF @ 10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 54649 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70