Αγορά Vishay Siliconix SIA461DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

SIA461DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Αριθμός ανταλλακτικού

SIA461DJ-T1-GE3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

TrenchFET®

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Cut Tape (CT)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

PowerPAK® SC-70-6

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

PowerPAK® SC-70-6 Single

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

3.4W (Ta), 17.9W (Tc)

Τύπος FET

P-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

20V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33 mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

45nC @ 8V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

1300pF @ 10V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (Μέγ.)

±8V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο chen_hx1688@hotmail.com, θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 16548 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70