Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
SIA483DJ-T1-GE3

SIA483DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
Αριθμός ανταλλακτικού
SIA483DJ-T1-GE3
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση μέρους
Active
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
PowerPAK® SC-70-6
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerPAK® SC-70-6 Single
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Τύπος FET
P-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
30V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
45nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
1550pF @ 15V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο chen_hx1688@hotmail.com, θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 33863 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του SIA483DJ-T1-GE3
SIA483DJ-T1-GE3 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
SIA483DJ-T1-GE3 Εκπτώσεις
SIA483DJ-T1-GE3 Προμηθευτής
SIA483DJ-T1-GE3 Διανομέας
SIA483DJ-T1-GE3 Πίνακας δεδομένων
SIA483DJ-T1-GE3 Φωτογραφίες
SIA483DJ-T1-GE3 Τιμή
SIA483DJ-T1-GE3 Προσφορά
SIA483DJ-T1-GE3 ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
SIA483DJ-T1-GE3 Αναζήτηση
SIA483DJ-T1-GE3 Αγοραστικός
SIA483DJ-T1-GE3 Chip