Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
SIB411DK-T1-GE3

SIB411DK-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L
Αριθμός ανταλλακτικού
SIB411DK-T1-GE3
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση μέρους
Obsolete
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
PowerPAK® SC-75-6L
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerPAK® SC-75-6L Single
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Τύπος FET
P-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
20V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
66 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
15nC @ 8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
470pF @ 10V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 50164 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του SIB411DK-T1-GE3
SIB411DK-T1-GE3 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
SIB411DK-T1-GE3 Εκπτώσεις
SIB411DK-T1-GE3 Προμηθευτής
SIB411DK-T1-GE3 Διανομέας
SIB411DK-T1-GE3 Πίνακας δεδομένων
SIB411DK-T1-GE3 Φωτογραφίες
SIB411DK-T1-GE3 Τιμή
SIB411DK-T1-GE3 Προσφορά
SIB411DK-T1-GE3 ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
SIB411DK-T1-GE3 Αναζήτηση
SIB411DK-T1-GE3 Αγοραστικός
SIB411DK-T1-GE3 Chip