Αγορά Vishay Siliconix SIB411DK-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

SIB411DK-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

Αριθμός ανταλλακτικού

SIB411DK-T1-GE3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

TrenchFET®

Κατάσταση μέρους

Obsolete

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

PowerPAK® SC-75-6L

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

PowerPAK® SC-75-6L Single

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

2.4W (Ta), 13W (Tc)

Τύπος FET

P-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

20V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

9A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

66 mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

15nC @ 8V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

470pF @ 10V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (Μέγ.)

±8V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 50164 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

SIB404DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L