Αγορά Vishay Siliconix SIDR626DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 60V

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

SIDR626DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 60V

Αριθμός ανταλλακτικού

SIDR626DP-T1-GE3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

TrenchFET® Gen IV

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Cut Tape (CT)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

PowerPAK® SO-8

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

PowerPAK® SO-8DC

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

60V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

42.8A (Ta), 100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

102nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

5130pF @ 30V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 41647 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC