Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
SIE830DF-T1-GE3

SIE830DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK
Αριθμός ανταλλακτικού
SIE830DF-T1-GE3
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
WFET®
Κατάσταση μέρους
Obsolete
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
10-PolarPAK® (S)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
10-PolarPAK® (S)
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
Τύπος FET
N-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
30V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
115nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
5500pF @ 15V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 42705 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του SIE830DF-T1-GE3
SIE830DF-T1-GE3 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
SIE830DF-T1-GE3 Εκπτώσεις
SIE830DF-T1-GE3 Προμηθευτής
SIE830DF-T1-GE3 Διανομέας
SIE830DF-T1-GE3 Πίνακας δεδομένων
SIE830DF-T1-GE3 Φωτογραφίες
SIE830DF-T1-GE3 Τιμή
SIE830DF-T1-GE3 Προσφορά
SIE830DF-T1-GE3 ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
SIE830DF-T1-GE3 Αναζήτηση
SIE830DF-T1-GE3 Αγοραστικός
SIE830DF-T1-GE3 Chip