Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
SIE836DF-T1-E3

SIE836DF-T1-E3

MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
Αριθμός ανταλλακτικού
SIE836DF-T1-E3
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση μέρους
Obsolete
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
10-PolarPAK® (SH)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
10-PolarPAK® (SH)
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
Τύπος FET
N-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
200V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
41nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
1200pF @ 100V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 39607 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του SIE836DF-T1-E3
SIE836DF-T1-E3 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
SIE836DF-T1-E3 Εκπτώσεις
SIE836DF-T1-E3 Προμηθευτής
SIE836DF-T1-E3 Διανομέας
SIE836DF-T1-E3 Πίνακας δεδομένων
SIE836DF-T1-E3 Φωτογραφίες
SIE836DF-T1-E3 Τιμή
SIE836DF-T1-E3 Προσφορά
SIE836DF-T1-E3 ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
SIE836DF-T1-E3 Αναζήτηση
SIE836DF-T1-E3 Αγοραστικός
SIE836DF-T1-E3 Chip