Αγορά Vishay Siliconix SIE836DF-T1-GE3 MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

SIE836DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK

Αριθμός ανταλλακτικού

SIE836DF-T1-GE3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

TrenchFET®

Κατάσταση μέρους

Obsolete

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

10-PolarPAK® (SH)

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

10-PolarPAK® (SH)

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

200V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

18.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

41nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

1200pF @ 100V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Μέγ.)

±30V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο chen_hx1688@hotmail.com, θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 39576 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

SIE800DF-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK