Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
SIHH14N60E-T1-GE3

SIHH14N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 16A POWERPAK8X8
Αριθμός ανταλλακτικού
SIHH14N60E-T1-GE3
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
-
Κατάσταση μέρους
Active
Συσκευασία
Cut Tape (CT)
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
8-PowerTDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerPAK® 8 x 8
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
147W (Tc)
Τύπος FET
N-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
600V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
255 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
82nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
1416pF @ 100V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 15873 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του SIHH14N60E-T1-GE3
SIHH14N60E-T1-GE3 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
SIHH14N60E-T1-GE3 Εκπτώσεις
SIHH14N60E-T1-GE3 Προμηθευτής
SIHH14N60E-T1-GE3 Διανομέας
SIHH14N60E-T1-GE3 Πίνακας δεδομένων
SIHH14N60E-T1-GE3 Φωτογραφίες
SIHH14N60E-T1-GE3 Τιμή
SIHH14N60E-T1-GE3 Προσφορά
SIHH14N60E-T1-GE3 ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
SIHH14N60E-T1-GE3 Αναζήτηση
SIHH14N60E-T1-GE3 Αγοραστικός
SIHH14N60E-T1-GE3 Chip