Αγορά Vishay Siliconix SIHU6N65E-GE3 MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

SIHU6N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

Αριθμός ανταλλακτικού

SIHU6N65E-GE3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tube

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο / Θήκη

TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

IPAK (TO-251)

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

78W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

650V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

48nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

820pF @ 100V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Μέγ.)

±30V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 40188 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

SIHU2N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK