Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
SIR410DP-T1-GE3

SIR410DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Αριθμός ανταλλακτικού
SIR410DP-T1-GE3
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση μέρους
Active
Συσκευασία
Digi-Reel®
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
PowerPAK® SO-8
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerPAK® SO-8
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
4.2W (Ta), 36W (Tc)
Τύπος FET
N-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
20V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
41nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
1600pF @ 10V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 9329 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του SIR410DP-T1-GE3
SIR410DP-T1-GE3 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
SIR410DP-T1-GE3 Εκπτώσεις
SIR410DP-T1-GE3 Προμηθευτής
SIR410DP-T1-GE3 Διανομέας
SIR410DP-T1-GE3 Πίνακας δεδομένων
SIR410DP-T1-GE3 Φωτογραφίες
SIR410DP-T1-GE3 Τιμή
SIR410DP-T1-GE3 Προσφορά
SIR410DP-T1-GE3 ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
SIR410DP-T1-GE3 Αναζήτηση
SIR410DP-T1-GE3 Αγοραστικός
SIR410DP-T1-GE3 Chip