Αγορά Vishay Siliconix SIR410DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

SIR410DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

Αριθμός ανταλλακτικού

SIR410DP-T1-GE3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

TrenchFET®

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Digi-Reel®

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

PowerPAK® SO-8

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

PowerPAK® SO-8

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

4.2W (Ta), 36W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

20V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

35A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

41nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

1600pF @ 10V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 9329 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

SIR401DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8