Αγορά Vishay Siliconix SISH615ADN-T1-GE3 MOSFET P-CHAN 20 V POWERPAK 1212

Κίνα
Επαγγελματικός προμηθευτής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων

Κατάλογοι Κατασκευαστές CN ICs

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

SISH615ADN-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 20 V POWERPAK 1212

Αριθμός ανταλλακτικού

SISH615ADN-T1-GE3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

TrenchFET® Gen III

Κατάσταση μέρους

Active

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

PowerPAK® 1212-8SH

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

PowerPAK® 1212-8SH

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Τύπος FET

P-Channel

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

183nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

5590pF @ 10V

Vgs (Μέγ.)

±12V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 26790 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

SISH106DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH