Αγορά Vishay Siliconix SQD50N05-11L_GE3 MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

SQD50N05-11L_GE3

MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Αριθμός ανταλλακτικού

SQD50N05-11L_GE3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

TrenchFET®

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Digi-Reel®

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 175°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

TO-252AA

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

75W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

50V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

52nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

2106pF @ 25V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 34884 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

SQD50N04-09H-GE3

MOSFET N-CH 40V 50A TO252