Αγορά Vishay Siliconix SQM120P04-04L_GE3 MOSFET P-CH 40V 120A TO-263

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

SQM120P04-04L_GE3

MOSFET P-CH 40V 120A TO-263

Αριθμός ανταλλακτικού

SQM120P04-04L_GE3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 175°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

TO-263 (D2Pak)

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

375W (Tc)

Τύπος FET

P-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

40V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

330nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

13980pF @ 20V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 23367 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

SQM100N02-3M5L_GE3

MOSFET N-CH 20V 100A TO263