Triode/MOS tube/transistor/module
Wuxi Unisplendour
Κατασκευαστές
Wuxi Unisplendour
Κατασκευαστές
JUNSHINE (Junshine Technology)
Κατασκευαστές
Jilin Huawei
Κατασκευαστές
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Κατασκευαστές
VBsemi (Wei Bi)
Κατασκευαστές
DIODES (US and Taiwan)
Κατασκευαστές
P-channel, -60V, -2.1A
Περιγραφή
ROHM (Rohm)
Κατασκευαστές
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Κατασκευαστές
VISHAY (Vishay)
Κατασκευαστές
MICROCHIP (US Microchip)
Κατασκευαστές
Slkor (Sakor Micro)
Κατασκευαστές
GOFORD (valley peak)
Κατασκευαστές
Crystal Conductor Microelectronics
Κατασκευαστές
onsemi (Ansemi)
Κατασκευαστές
Automotive Power MOSFETs for compact and efficient designs mounted in 5x6mm flat lead encapsulation with high thermal performance. Wettable flank options available for enhanced optical detection. AEC-Q101 qualified MOSFETs with Production Part Approval Process (PPAP) capability for automotive applications.
Περιγραφή
BORN (Born Semiconductor)
Κατασκευαστές
MOSFET Type N Drain-Source Voltage (Vdss) (V) 85 Threshold Voltage VGS ±20 Vth(V) 2-4 On-Resistance RDS(ON) (mΩ) 4.2/5 Continuous Drain Current ID (A) 140
Περιγραφή