Triode/MOS tube/transistor/module
VBsemi (Wei Bi)
Κατασκευαστές
VBsemi (Wei Bi)
Κατασκευαστές
ST (STMicroelectronics)
Κατασκευαστές
HUASHUO (Huashuo)
Κατασκευαστές
DIODES (US and Taiwan)
Κατασκευαστές
PNP, Vceo=-20V, Ic=-2.5A
Περιγραφή
VBsemi (Wei Bi)
Κατασκευαστές
Infineon (Infineon)
Κατασκευαστές
ORIENTAL SEMI (Dongwei)
Κατασκευαστές
Sinopower (large and medium)
Κατασκευαστές
Infineon (Infineon)
Κατασκευαστές
Techcode (TED)
Κατασκευαστές
Type N Drain-Source Voltage (Vdss) 30 Threshold Voltage (Vgs) 20 Continuous Drain Current (Id) 18 On-Resistance (mΩ) 3.6 Input Capacitance (Ciss) 1350 Reverse Transfer Capacitance Crss (pF) 65 Gate Charge (Qg ) 19
Περιγραφή
LRC (Leshan Radio)
Κατασκευαστές
Littelfuse (American Littelfuse)
Κατασκευαστές
VISHAY (Vishay)
Κατασκευαστές
TI (Texas Instruments)
Κατασκευαστές
CSD18537NKCS 60V, N-Channel NexFET Power MOSFET
Περιγραφή
Infineon (Infineon)
Κατασκευαστές
VBsemi (Wei Bi)
Κατασκευαστές
HGSEMI (Huaguan)
Κατασκευαστές
LONTEN (Longteng Semiconductor)
Κατασκευαστές
TOSHIBA (Toshiba)
Κατασκευαστές