Triode/MOS tube/transistor/module
DIODES (US and Taiwan)
Κατασκευαστές
VBsemi (Wei Bi)
Κατασκευαστές
Infineon (Infineon)
Κατασκευαστές
N-channel, 55V, 169A, 5.3mΩ@10V
Περιγραφή
N+P dual channel, 30V/6A(-30V/-6.5A)
Περιγραφή
NCE (Wuxi New Clean Energy)
Κατασκευαστές
NCE (Wuxi New Clean Energy)
Κατασκευαστές
APM (Jonway Microelectronics)
Κατασκευαστές
VISHAY (Vishay)
Κατασκευαστές
ST (STMicroelectronics)
Κατασκευαστές
ST (STMicroelectronics)
Κατασκευαστές
ST (STMicroelectronics)
Κατασκευαστές
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Κατασκευαστές
RealChip (Shenxin Semiconductor)
Κατασκευαστές
BL (Shanghai Belling)
Κατασκευαστές
onsemi (Ansemi)
Κατασκευαστές
This NPN transistor is suitable for general purpose amplifier applications. This device features SOT-723 encapsulation and is suitable for low power surface mount applications where board space is at a premium.
Περιγραφή
AGM-Semi (core control source)
Κατασκευαστές
DIODES (US and Taiwan)
Κατασκευαστές