Triode/MOS tube/transistor/module
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Κατασκευαστές
N-channel, VDSS withstand voltage 30V, ID current 150A, RDON on-resistance 2.4mR@VGS 10V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 1.2-2.5V,
Περιγραφή
CET (Huarui)
Κατασκευαστές
N-channel, 25V, 60A, 9mΩ@10V
Περιγραφή
onsemi (Ansemi)
Κατασκευαστές
N-Channel, PowerTrench MOSFET, 60V, 80 A, 3.8 mΩ
Περιγραφή
onsemi (Ansemi)
Κατασκευαστές
LRC (Leshan Radio)
Κατασκευαστές
NPN, Vceo=50V, Ic=100mA
Περιγραφή
DIODES (US and Taiwan)
Κατασκευαστές
onsemi (Ansemi)
Κατασκευαστές
VBsemi (Wei Bi)
Κατασκευαστές
LRC (Leshan Radio)
Κατασκευαστές
onsemi (Ansemi)
Κατασκευαστές
PUOLOP (Dipu)
Κατασκευαστές
APM (Jonway Microelectronics)
Κατασκευαστές
VBsemi (Wei Bi)
Κατασκευαστές
TWGMC (Taiwan Dijia)
Κατασκευαστές
Transistor type: PNP Collector-emitter breakdown voltage (Vceo): 25V Collector current (Ic): 500mA Power (Pd): 300mW DC current gain (hFE@Ic,Vce): 120@50mA,1V
Περιγραφή
Potens (Bosheng Semiconductor)
Κατασκευαστές
P-channel, -30V, -7A
Περιγραφή
Wuxi Unisplendour
Κατασκευαστές
ST (STMicroelectronics)
Κατασκευαστές
onsemi (Ansemi)
Κατασκευαστές