Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
C2M0080170P

C2M0080170P

ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS
Αριθμός ανταλλακτικού
C2M0080170P
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
C2M™
Κατάσταση μέρους
Active
Συσκευασία
-
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο / Θήκη
TO-247-4
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-4L
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
277W (Tc)
Τύπος FET
N-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
1700V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 28A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
120nC @ 20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
2250pF @ 1000V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
20V
Vgs (Μέγ.)
+25V, -10V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 20159 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του C2M0080170P
C2M0080170P ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
C2M0080170P Εκπτώσεις
C2M0080170P Προμηθευτής
C2M0080170P Διανομέας
C2M0080170P Πίνακας δεδομένων
C2M0080170P Φωτογραφίες
C2M0080170P Τιμή
C2M0080170P Προσφορά
C2M0080170P ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
C2M0080170P Αναζήτηση
C2M0080170P Αγοραστικός
C2M0080170P Chip