Αγορά GeneSiC Semiconductor GA03JT12-247 TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB

Κίνα
Επαγγελματικός προμηθευτής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων

Κατάλογοι Κατασκευαστές CN ICs

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

GA03JT12-247

TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB

Αριθμός ανταλλακτικού

GA03JT12-247

Κατασκευαστής/Μάρκα

GeneSiC Semiconductor

Σειρά

Κατάσταση μέρους

Obsolete

Συσκευασία

Tube

Τεχνολογία

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Θερμοκρασία λειτουργίας

175°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο / Θήκη

TO-247-3

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

TO-247AB

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

15W (Tc)

Τύπος FET

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

1200V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

3A (Tc) (95°C)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

460 mOhm @ 3A

Vgs(th) (Max) @ Id

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

Vgs (Μέγ.)

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 44826 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας