Αγορά GeneSiC Semiconductor MBR600150CTR DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER

Κίνα
Επαγγελματικός προμηθευτής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων

Κατάλογοι Κατασκευαστές CN ICs

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

MBR600150CTR

DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER

Αριθμός ανταλλακτικού

MBR600150CTR

Κατασκευαστής/Μάρκα

GeneSiC Semiconductor

Σειρά

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Bulk

Τύπος τοποθέτησης

Chassis Mount

Πακέτο / Θήκη

Twin Tower

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

Twin Tower

Τύπος διόδου

Schottky

Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Αν

880mV @ 300A

Ρεύμα - Αντίστροφη διαρροή @ Vr

3mA @ 150V

Διαμόρφωση διόδου

1 Pair Common Anode

Τάση - DC Reverse (Vr) (Max)

150V

Τρέχουσα - Μέση Διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο)

300A

Ταχύτητα

Fast Recovery = 200mA (Io)

Αντίστροφος χρόνος ανάκτησης (trr)

Θερμοκρασία Λειτουργίας - Διασταύρωση

-55°C ~ 150°C

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 24854 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας