Αγορά Infineon Technologies BSC100N06LS3GATMA1 MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

BSC100N06LS3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8

Αριθμός ανταλλακτικού

BSC100N06LS3GATMA1

Κατασκευαστής/Μάρκα

Infineon Technologies

Σειρά

OptiMOS™

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Cut Tape (CT)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

8-PowerTDFN

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

PG-TDSON-8

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

60V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

12A (Ta), 50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 23µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

45nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

3500pF @ 30V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 37293 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας