Αγορά Infineon Technologies IPB50N10S3L16ATMA1 MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

IPB50N10S3L16ATMA1

MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3

Αριθμός ανταλλακτικού

IPB50N10S3L16ATMA1

Κατασκευαστής/Μάρκα

Infineon Technologies

Σειρά

OptiMOS™

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Digi-Reel®

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 175°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

PG-TO263-3-2

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

100W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

100V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.4 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 60µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

64nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

4180pF @ 25V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 37457 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας