Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
IPC50N04S55R8ATMA1

IPC50N04S55R8ATMA1

MOSFET N-CHANNEL 40V 50A 8TDSON
Αριθμός ανταλλακτικού
IPC50N04S55R8ATMA1
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
OptiMOS™
Κατάσταση μέρους
Active
Συσκευασία
Cut Tape (CT)
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
8-PowerTDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TDSON-8
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
42W (Tc)
Τύπος FET
N-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
40V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 13µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
18nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
1090pF @ 25V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 24145 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του IPC50N04S55R8ATMA1
IPC50N04S55R8ATMA1 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
IPC50N04S55R8ATMA1 Εκπτώσεις
IPC50N04S55R8ATMA1 Προμηθευτής
IPC50N04S55R8ATMA1 Διανομέας
IPC50N04S55R8ATMA1 Πίνακας δεδομένων
IPC50N04S55R8ATMA1 Φωτογραφίες
IPC50N04S55R8ATMA1 Τιμή
IPC50N04S55R8ATMA1 Προσφορά
IPC50N04S55R8ATMA1 ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
IPC50N04S55R8ATMA1 Αναζήτηση
IPC50N04S55R8ATMA1 Αγοραστικός
IPC50N04S55R8ATMA1 Chip