Αγορά Infineon Technologies IPD200N15N3GATMA1 MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

IPD200N15N3GATMA1

MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3

Αριθμός ανταλλακτικού

IPD200N15N3GATMA1

Κατασκευαστής/Μάρκα

Infineon Technologies

Σειρά

OptiMOS™

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Cut Tape (CT)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 175°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

PG-TO252-3

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

150W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

150V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 90µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

31nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

1820pF @ 75V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

8V, 10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 52751 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας