Αγορά Infineon Technologies IPT60R080G7XTMA1 MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

IPT60R080G7XTMA1

MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8

Αριθμός ανταλλακτικού

IPT60R080G7XTMA1

Κατασκευαστής/Μάρκα

Infineon Technologies

Σειρά

CoolMOS™ G7

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-40°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

8-PowerSFN

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

PG-HSOF-8

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

167W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

650V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

29A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 490µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

42nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

1640pF @ 400V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 19281 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας