Αγορά Infineon Technologies IRF200B211 MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

IRF200B211

MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB

Αριθμός ανταλλακτικού

IRF200B211

Κατασκευαστής/Μάρκα

Infineon Technologies

Σειρά

HEXFET®, StrongIRFET™

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tube

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 175°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο / Θήκη

TO-220-3

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

TO-220AB

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

80W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

200V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170 mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.9V @ 50µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

23nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

790pF @ 50V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 15872 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας