Αγορά IXYS IXTI10N60P MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK

Κίνα
Επαγγελματικός προμηθευτής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων

Κατάλογοι Κατασκευαστές CN ICs

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

IXTI10N60P

MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK

Αριθμός ανταλλακτικού

IXTI10N60P

Κατασκευαστής/Μάρκα

IXYS

Σειρά

PolarHV™

Κατάσταση μέρους

Obsolete

Συσκευασία

Tube

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο / Θήκη

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

TO-262 (I2PAK)

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

200W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

600V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

10A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

740 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

32nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

1610pF @ 25V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Μέγ.)

±30V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 18400 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας