Αγορά IXYS IXTM12N100 POWER MOSFET TO-3

Κίνα
Επαγγελματικός προμηθευτής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων

Κατάλογοι Κατασκευαστές CN ICs

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

IXTM12N100

POWER MOSFET TO-3

Αριθμός ανταλλακτικού

IXTM12N100

Κατασκευαστής/Μάρκα

IXYS

Σειρά

GigaMOS™

Κατάσταση μέρους

Last Time Buy

Συσκευασία

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο / Θήκη

TO-204AA, TO-3

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

TO-204AA

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

300W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

1000V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.05 Ohm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

170nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

4000pF @ 25V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 23824 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

IXTM10P60

POWER MOSFET TO-3