Αγορά NXP USA Inc. PHN210,118 MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

Κίνα
Επαγγελματικός προμηθευτής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων

Κατάλογοι Κατασκευαστές CN ICs

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

PHN210,118

MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

Αριθμός ανταλλακτικού

PHN210,118

Κατασκευαστής/Μάρκα

NXP USA Inc.

Σειρά

TrenchMOS™

Κατάσταση μέρους

Obsolete

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-65°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Ισχύς - Μέγ

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

8-SO

Τύπος FET

2 N-Channel (Dual)

Λειτουργία FET

Logic Level Gate

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

30V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

6nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

250pF @ 20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 9755 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας