Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
FQB8N60CTM

FQB8N60CTM

MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Αριθμός ανταλλακτικού
FQB8N60CTM
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
QFET®
Κατάσταση μέρους
Active
Συσκευασία
Cut Tape (CT)
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
D²PAK (TO-263AB)
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
3.13W (Ta), 147W (Tc)
Τύπος FET
N-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
600V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
36nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
1255pF @ 25V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 13669 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του FQB8N60CTM
FQB8N60CTM ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
FQB8N60CTM Εκπτώσεις
FQB8N60CTM Προμηθευτής
FQB8N60CTM Διανομέας
FQB8N60CTM Πίνακας δεδομένων
FQB8N60CTM Φωτογραφίες
FQB8N60CTM Τιμή
FQB8N60CTM Προσφορά
FQB8N60CTM ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
FQB8N60CTM Αναζήτηση
FQB8N60CTM Αγοραστικός
FQB8N60CTM Chip