Αγορά Renesas Electronics America NP83P06PDG-E1-AY MOSFET P-CH 60V 83A TO-263

Κίνα
Επαγγελματικός προμηθευτής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων

Κατάλογοι Κατασκευαστές CN ICs

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

NP83P06PDG-E1-AY

MOSFET P-CH 60V 83A TO-263

Αριθμός ανταλλακτικού

NP83P06PDG-E1-AY

Κατασκευαστής/Μάρκα

Renesas Electronics America

Σειρά

Κατάσταση μέρους

Obsolete

Συσκευασία

Cut Tape (CT)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

175°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

TO-263

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

1.8W (Ta), 150W (Tc)

Τύπος FET

P-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

60V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

83A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.8 mOhm @ 41.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

190nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

10100pF @ 10V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 8369 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας