Αγορά Toshiba Memory America, Inc. TC58BVG2S0HBAI4 IC EEPROM 4GBIT 25NS 63FBGA

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

TC58BVG2S0HBAI4

IC EEPROM 4GBIT 25NS 63FBGA

Αριθμός ανταλλακτικού

TC58BVG2S0HBAI4

Κατασκευαστής/Μάρκα

Toshiba Memory America, Inc.

Σειρά

Benand™

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tray

Τεχνολογία

FLASH - NAND (SLC)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-40°C ~ 85°C (TA)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

63-VFBGA

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

63-TFBGA (9x11)

Τάση - Τροφοδοσία

2.7 V ~ 3.6 V

Τύπος μνήμης

Non-Volatile

Μέγεθος μνήμης

4Gb (512M x 8)

Χρόνος πρόσβασης

25ns

Συχνότητα ρολογιού

Μορφή μνήμης

Flash

Write Cycle Time - Word, Σελίδα

25ns

Διεπαφή μνήμης

Parallel

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 25621 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας