Αγορά Toshiba Memory America, Inc. TH58BVG2S3HTAI0 IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

TH58BVG2S3HTAI0

IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP

Αριθμός ανταλλακτικού

TH58BVG2S3HTAI0

Κατασκευαστής/Μάρκα

Toshiba Memory America, Inc.

Σειρά

Benand™

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tray

Τεχνολογία

FLASH - NAND (SLC)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-40°C ~ 85°C (TA)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

48-TSOP I

Τάση - Τροφοδοσία

2.7 V ~ 3.6 V

Τύπος μνήμης

Non-Volatile

Μέγεθος μνήμης

4Gb (512M x 8)

Χρόνος πρόσβασης

25ns

Συχνότητα ρολογιού

Μορφή μνήμης

Flash

Write Cycle Time - Word, Σελίδα

25ns

Διεπαφή μνήμης

Parallel

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 48624 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας