Αγορά Toshiba Semiconductor and Storage TJ30S06M3L(T6L1,NQ MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3

Κίνα
Επαγγελματικός προμηθευτής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων

Κατάλογοι Κατασκευαστές CN ICs

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

TJ30S06M3L(T6L1,NQ

MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3

Αριθμός ανταλλακτικού

TJ30S06M3L(T6L1,NQ

Κατασκευαστής/Μάρκα

Toshiba Semiconductor and Storage

Σειρά

U-MOSVI

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

175°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

DPAK+

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

68W (Tc)

Τύπος FET

P-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

60V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

30A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21.8 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

80nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

3950pF @ 10V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Μέγ.)

+10V, -20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 41784 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας