Αγορά Toshiba Semiconductor and Storage TK39N60X,S1F MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247

Κίνα
Επαγγελματικός προμηθευτής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων

Κατάλογοι Κατασκευαστές CN ICs

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

TK39N60X,S1F

MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247

Αριθμός ανταλλακτικού

TK39N60X,S1F

Κατασκευαστής/Μάρκα

Toshiba Semiconductor and Storage

Σειρά

DTMOSIV-H

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tube

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο / Θήκη

TO-247-3

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

TO-247

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

270W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Super Junction

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

600V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

38.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 1.9mA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

85nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

4100pF @ 300V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Μέγ.)

±30V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο chen_hx1688@hotmail.com, θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 32084 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας