Αγορά Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65D(STA4,Q,M) MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS

Κίνα
Επαγγελματικός προμηθευτής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων

Κατάλογοι Κατασκευαστές CN ICs

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

TK3A65D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS

Αριθμός ανταλλακτικού

TK3A65D(STA4,Q,M)

Κατασκευαστής/Μάρκα

Toshiba Semiconductor and Storage

Σειρά

π-MOSVII

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tube

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο / Θήκη

TO-220-3 Full Pack

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

TO-220SIS

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

35W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

650V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.25 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.4V @ 1mA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

11nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

540pF @ 25V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Μέγ.)

±30V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 53673 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας