Αγορά Toshiba Semiconductor and Storage TK65G10N1,RQ MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

TK65G10N1,RQ

MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK

Αριθμός ανταλλακτικού

TK65G10N1,RQ

Κατασκευαστής/Μάρκα

Toshiba Semiconductor and Storage

Σειρά

U-MOSVIII-H

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Cut Tape (CT)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

D2PAK

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

156W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

100V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

65A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5 mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

81nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

5400pF @ 50V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 37633 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας