Αγορά Toshiba Semiconductor and Storage TK6P65W,RQ MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

TK6P65W,RQ

MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK

Αριθμός ανταλλακτικού

TK6P65W,RQ

Κατασκευαστής/Μάρκα

Toshiba Semiconductor and Storage

Σειρά

DTMOSIV

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

DPAK

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

60W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

650V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

5.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.05 Ohm @ 2.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 180µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

11nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

390pF @ 300V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Μέγ.)

±30V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 26215 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας