Αγορά Toshiba Semiconductor and Storage TK90S06N1L,LQ MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

Κίνα
Επαγγελματικός προμηθευτής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων

Κατάλογοι Κατασκευαστές CN ICs

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

TK90S06N1L,LQ

MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

Αριθμός ανταλλακτικού

TK90S06N1L,LQ

Κατασκευαστής/Μάρκα

Toshiba Semiconductor and Storage

Σειρά

U-MOSVIII-H

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

175°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

TO-252-3

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

157W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

60V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

90A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3 mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 500µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

81nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

5400pF @ 10V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 35277 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας