Αγορά Toshiba Semiconductor and Storage TPH2010FNH,L1Q MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

TPH2010FNH,L1Q

MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP

Αριθμός ανταλλακτικού

TPH2010FNH,L1Q

Κατασκευαστής/Μάρκα

Toshiba Semiconductor and Storage

Σειρά

U-MOSVIII-H

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

8-PowerVDFN

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

8-SOP Advance (5x5)

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

1.6W (Ta), 42W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

250V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

5.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

198 mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 200µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

7nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

600pF @ 100V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 37619 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας