Αγορά Toshiba Semiconductor and Storage TPN6R303NC,LQ MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

Κίνα
Επαγγελματικός προμηθευτής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων

Κατάλογοι Κατασκευαστές CN ICs

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

TPN6R303NC,LQ

MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

Αριθμός ανταλλακτικού

TPN6R303NC,LQ

Κατασκευαστής/Μάρκα

Toshiba Semiconductor and Storage

Σειρά

U-MOSVIII

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

8-PowerVDFN

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

700mW (Ta), 19W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

30V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

20A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.3V @ 200µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

24nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

1370pF @ 15V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 50852 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας